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智能无线传感器设计完全指南

本文介绍了ADI公司的BLE和SmartMesh无线状态监控传感器，其中包括一款搭载边缘人工智能(AI)的新型无线传感器，它能延长受限边缘传感器节点的电池寿命。

随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道

2024-11-21 | 碳化硅

在本文中，我们将分“二极管整流升压型DC-DC转换器”、“同步整流升压型DC-DC转换器”

3.3V供电的STM32开发板，输出24V的工业传感器，如果把它俩直连在一起，会发生什么？把不同电平的芯片或者开发板直连，你是不是也做过类似的事？

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。

2024-11-19 | 逆变器, IGBT

本文介绍了热容的概念，提出了瞬态的热特性，并对比了不同封装的瞬态热阻

EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。

本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。

在 PCB layout 中实施热管理的方法有几种——从简单的散热风扇，到复杂的外壳和散热片设计。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

在本文中，我们将讨论这些缺点，并说明射频全差分放大器（FDA）如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。

在本文中，我们将讨论这些缺点，并说明射频全差分放大器 (FDA) 如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

2024-11-11 | SiC, 三菱电机

近年来，高度依赖在线资源的混合办公模式加速普及，电子系统成为了必不可少的工具，效率的重要性愈发凸显