功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
judy -- 周四, 11/14/2024 - 10:55功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
上海贝岭推出针对电动轻便摩托车控制器的新产品BLP04N11,该器件针对电摩控制器应用特点,优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗
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功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率
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