新闻

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力

该产品采用串行输入设计，具备4mA-20mA高精度电流输出、完整环路供电实现低功耗运行，可广泛应用于工业自动化控制、变送器、Hart通信领域。

作者：Judy Zhong

该芯片内部集成8路半桥栅极驱动器，单颗芯片就能驱动多个电机或负载，大大降低了整个系统的复杂性、尺寸和成本。

隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150V/ns（纳秒），是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作

新型SMD保险丝可实现紧凑的全自动装配，并为高压应用提供增强的保护

该调制器在110GHz高频下的频率响应衰减仅约2dB，3dB带宽成功突破110GHz，显著优于现有主流技术路径，充分验证其在超宽频段内的低损耗、高保真能力。