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Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

judy -- 周五, 11/15/2024 - 15:42

新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸，功率密度高，可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级

judy -- 周三, 10/30/2024 - 14:38

自我保护器件R₂₅阻值达1.5 kW，可处理电压高达1200 V_DC，能量吸收能力达340 J，可减少元件数量

judy -- 周四, 10/24/2024 - 09:22

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns

judy -- 周二, 10/22/2024 - 14:28

车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1 ms，达到业内先进水平

judy -- 周三, 10/16/2024 - 17:44

新型VETH100A1DD1器件符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范

judy -- 周二, 09/24/2024 - 10:06

器件体积小，额定功率30 W，工作温度达 +105 °C，饱和电流为22 A

judy -- 周五, 09/13/2024 - 10:03

器件节省成本和空间，力度达120 N，额定工作电压低至12 V（8 V至16 V），可提供车载和商用高分辨触控效果

judy -- 周五, 08/02/2024 - 10:02

新发布的器件具有超低的内部电抗，在大频率范围内的表现接近纯电阻器，Z/R曲线几乎平坦，频率可达70 GHz。

judy -- 周三, 07/24/2024 - 16:28

高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K