Vishay

器件降低成本，节省电路板空间，1 cm距离处电场可减小-20 dB

Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。

850 nm和 940 nm器件采用3.4 mm×3.4 mm表面贴装封装，驱动电流达1.5A DC，脉冲电流为5A，亮度可达6000 mW/sr

汽车级器件阻值高达7.5 MW，温度系数低至 ± 25 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %

器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准，不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差

器件可定制，适合表面贴装或插件组装，温升电流30 A，最高工作温度可达+150 ℃

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款全新薄型共模扼流圈ICMS2321-10和ICMS2321-1A，适于大电流汽车、能源和工业应用。Vishay Dale商用ICMS2321-10和车规级ICMS2321-1A提供表面贴装和插件组装两种版本，温升电流达30 A，线圈间绝缘耐压高达1500 V_DC。

器件采用4引脚LSOP薄型封装，隔离电压5000 V_RMS，绝缘重复峰值电压V_IORM 1414 V_peak，绝缘瞬态峰值电压V_IOTM 8000 V_peak