直播预约 | RISC-V算力芯片,能否打开下一轮突破的新空间?
第五届滴水湖中国RISC-V产业论坛专题
【填问卷 月月赢好礼】“芯英雄联盟”直播服务在线调查
CES 2026(国际消费类电子产品展览会)专题
以板载匠心,赋能 FPGA 创新,加速产品从 0 到 1
艾为推出双通道低功耗音频ADC AW89201QNR:101dB信噪比,静态功耗低至6mA该产品面向AI玩具、会议系统、智慧大屏、智能音箱、扫地机器人、安防监控、麦克风阵列等工业与消费场景,提供高性能前端音频采集方案。
Littelfuse/C&K推出SDE系列低剖面尾接堆叠式DIP开关,无需改板即可扩展开关位数尾接堆叠式、可清洗的 DIP 开关,为紧凑型设计提供可扩展、节省空间的配置方案
Diodes推出双通道隔离栅极驱动器,为开关应用提供灵活可靠的半桥与独立栅极驱动拓扑API21550/API21552 系列采用硅基电容隔离壁垒,可承受最高13kVRMS的击穿电压,预测隔离壁垒使用寿命超过40年
思瑞浦推出50fA偏置电流精密运放TPA5971/TPA5972,破解光模块微弱光电流采集难题50fA偏置电流运放来了!光模块微弱光电流采集不失真
TrendForce发布2026年十大科技趋势预测:AI驱动下的产业新路径2026十大科技趋势出炉!人形机器人出货增700%!
赋能端侧AI:美芯晟“感知+能效”全链路芯片助力智能终端新体验美芯晟以“智能感知+充电管理”全链路芯片矩阵,为端侧AI设备提供环境感知、光学追踪、测距避障及无线充电等核心硬件支撑。
结温超标就会失效:用瞬态热阻抗评估器件安全工作温度瞬态热阻抗与热阻反应器件在瞬态和稳态条件下将内部热量散发到环境中的效率反映了器件在瞬态和稳态下将内部热量传递至环境的效率。
一颗抵两颗!敏芯集成气压计,水下高空通吃敏芯股份重磅推出MSPC15M-ADSX集成式多场景气压计——以单颗传感器的突破性架构设计,实现跨水下、高空两大极端场景的精准气压检测,为多领域感知设备带来更极简高效的选型方案。
AKM CQ3M系列无磁芯电流传感器开始供样!±235A量程助力机器人与伺服驱动CQ3M 系列内置 Δ-Σ 调制器,可通过单个电流传感器替代 “分流电阻+绝缘 ADC” 方案
国巨GDSC系列PMG7277NLT来了!≤5mm超薄LLC驱动变压器助力SiC/GaN高效驱动国巨超薄LLC驱动变压器来了!助力SiC/GaN高效驱动!
艾为AWP370X4四合一LDO PMIC来了!破解多摄供电难题艾为四合一LDO PMIC来了!单芯片破解多摄供电难题!
磁传感器为什么离不开磁路设计|一颗传感器和它周围磁场的精准对话磁传感器直接感知的是磁场,而距离、角度等信息,需要通过磁铁和磁路转换得到。为什么有时芯片选对了,产品却仍无法稳定工作?答案可能藏在一个容易被忽略的环节——磁路设计
SiC MOSFET数据手册解析(二)——额定电压到底该怎么看?上一篇文章,我们分析了SiC MOSFET额定电流和峰值电流的理解与应用。本篇我们来聊聊另一个关键参数——额定电压。
国产首款3通道Buck LED控制芯片来了!英迪芯微iND87542实现量产国产首款3通道Buck LED控制芯片量产,性能对标海外!
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用:死区时间控制及损耗优化方法本文将重点介绍外部 Cds对死区时间要求的影响、使用外部 Cds降低功率损耗。
村田 SWL 系列量产!1.0mm 见方射频连接器,PCB 占用最高省 60%

株式会社村田制作所开发了尺寸达到微小级别的1.0mm×1.0mm×0.55mm 带开关RF高频同轴连接器SWL系列“MM8330-2600RJ5”和“MM8330-2600RK20”,并于2026年8月开始量产。

采用融合了村田长期积累的高频技术与机械结构设计技术的自创结构,本产品在兼顾高频特性与机械性能的同时实现小型化。与尺寸(L×W×H)为1.4mm×1.2mm×0.65mm的村田过往产品SWJ系列相比,贴装面积减少约40%;此外,通过与专设探针组合使用,包括禁布区在内的占用面积减少约60%。由此,有助于节省智能手机、可穿戴设备等无线通信设备的电路板空间。(本文数据由村田调查得出,截至2026年10月28日。)

产品主要特点

永铭IDC3系列牛角铝电解电容:以漏电流可靠性支撑AI服务器电源Pin-to-Pin替代永铭IDC3铝电解电容:漏电流加严内控,耐高温大纹波!
通孔元件引线封装对比与选型:PCB占用、安装方式与维修便利性在选购电容器、电阻器或电感器时,经常会看到 轴向 和 径向引线的描述。许多人认为这是根据元件外形区分,但实际上,两者的区别主要取决于引线引出的方向。
纳芯微推出国内首颗车规级三相浮动栅极驱动器NSD366x-Q1系列,助力线控转向与线控制动安全关断该系列集成三路浮动栅极驱动,面向N沟道MOSFET,支持4.5V至50V宽范围输入电压与0%至100%占空比驱动