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选择LDO时的主要考虑因素和挑战
在选择LDO之前,明确定义IC设计的具体要求非常重要。需要考虑电压调节需求、电源效率、噪声敏感度和物理约束等因素。
2024-09-14 |
LDO
,
低压差稳压器
智能无处不在,用UFS 4.0给手机AI加速
通过UFS 4.0,智能手机在执行AI任务时能够以更低的延迟和更高的效率处理数据,这不仅改善了用户体验,还为更加复杂和多样化的AI应用场景提供了可能。
2024-09-14 |
KIOXIA
,
UFS 4.0
,
AI加速
更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管
2024-09-14 |
IGBT
,
CPL结构
,
三菱电机
一篇文章 摸透6种触摸传感器的特性与优势
本文概述了多种触摸传感器的类型及其产品特性,包括工作原理、灵敏度、精确度、适用场景等。
2024-09-14 |
触摸传感器
,
DigiKey
从几大典型场景,看安森美赋能边缘智能应用的高性能“产品力”
在数字化时代,海量数据的产生已经成为常态,从智能手机到物联网设备,数据源已经无处不在。传统的云计算模式虽然强大,但也存在着延迟、带宽和数据隐私等问题
2024-09-14 |
安森美
,
边缘智能
光迅科技发布O波DWDM光模块
光迅科技自主研发的OBAND 50G与100G EML芯片及器件,凭借其卓越的性能指标,可适配100GHz高密度波长间隔,为高速、大容量、低功耗、低时延数据传输提供更高性价比的系列方案。
2024-09-13 |
光迅科技
,
DWDM
,
光模块
器件封装类型:选择标准
电子产品的形状和尺寸多种多样,用于实现其功能的器件也是如此。起初,设计人员可能无法独自区分产品规格单上的不同器件封装类型,尤其是在参数没有区别的情况下
2024-09-13 |
器件封装
两张图说清楚共射极放大器为什么需要发射极电阻
本文首先介绍了一个典型的共射极放大器,然后探讨了发射极旁路电容器的工作原理。我们将研究电容器对增益、失真和频率响应的影响
2024-09-13 |
共射极放大器
,
发射极电阻
,
DigiKey
Vishay推出含Immersion许可的新款多尺寸、多力度级别IHPT触控反馈执行器
器件节省成本和空间,力度达120 N,额定工作电压低至12 V(8 V至16 V),可提供车载和商用高分辨触控效果
2024-09-13 |
Vishay
,
触控反馈执行器
InnoSwitch3-AQ可提高400V和800V电动汽车μDCDC变换器的效率和可靠性
Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择
2024-09-13 |
InnoSwitch3-AQ
,
碳化硅
越来越“热”的芯片,如何降温?
近年来,为了满足 5G、AI、汽车电子等新兴市场不断增长的算力需求,芯片的集成度不断提高,相应的功耗也随之增加。
2024-09-12 |
Cadence
,
芯片
,
AI
Murata推出更适合薄型设计应用场景的3.3V输入、12A输出的DCDC转换IC
株式会社村田制作所面向1.2mm以下的低矮应用,开发了可以3.3输入电压输出上限12A的高效率DC-DC转换器IC“FlexiBK系列(PE24110)”
2024-09-12 |
Murata
,
DC-DC转换器
,
FlexiBK
三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产
三星电子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式开始量产。
2024-09-12 |
三星
,
AI
,
QLC
,
V-NAND
说碳化硅高富帅 是有原因的!
本文深入探讨了SiC的基本特性、优势、减少体积以及加速其研发的方法,并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行实例分析,旨在为相关设计提供有益的参考与指导。
2024-09-12 |
碳化硅
,
DigiKey
“环抱”晶体管与“三明治”布线
今天,我们将介绍英特尔的两项突破性技术:RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术
2024-09-12 |
晶体管
,
Intel-18A
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英特尔
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RibbonFET
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