艾为闭环VCM赋能VA可变光圈：从“算法补救”到“光学原生”的影像跃迁本文系统性介绍光圈的物理本质与F-number定义逻辑、VA可变光圈的技术实现路径与关键性能指标以及如何系统性解决暗光/强光/景深/视频四大影像痛点 
长工微发布全集成 40A 智能 POL IS6615A在数据中心、通信设备12V 板级的供电场景，POL 降压电源方案追求更高的功率密度、精简 BOM、优异的瞬态响应性能，同时供应链、物料的兼容替代需求，也成为硬件设计团队重点考量的现实需求 
存储器合约价持续飙升，预估2027年占主要CSP资本支出比重将高达68%根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，全球主要云端服务供应商（CSP）为加速建设AI基础设施，资本支出预估于2026年将年增98%，2027年再成长50% 
多维科技 5 款 TMR 磁传感器量产！全面覆盖影像设备 AF/OIS 应用多维科技 5 款 TMR 磁传感器实现量产，提供多类检测方案，凭借优异抗干扰与定位性能，服务影像设备 AF、OIS 系统开发。 
艾为电子推出 AW39114PLR / AW39204PLR 双向电平转换两款 4-bit 双向电压电平转换芯片采用完全一致的 FOPLP 1.87mm×1.37mm-12B 引脚布局，实现 PCB Co-Lay（共布局）设计，客户可在同一块 PCB 上灵活适配两款芯片，极大提升设计延续性与供应链弹性。 
圣邦微电子推出 SGM42636 步进驱动器：内置 H 桥、高级衰减模式，简化电机驱动外围设计SGM42636是一款高度集成的双极步进电机驱动器，工作电源电压范围为7V至45V。器件内部集成了两个带功率MOSFET的H桥驱动器，每绕组满量程电流可达1.5A（1.1A RMS） 
南芯科技发布6μA超低静态电流升降压DC-DC
今日，南芯科技（证券代码：688484）宣布推出超低静态电流升降压 DC-DC SC8710，典型静态电流低至 6μA。SC8710 采用峰值电流模式控制架构，升降压切换平滑，动态响应特性优异，同时兼具极致性价比，可适用于系统预稳压器、IP 摄像头传感器、射频放大器等对轻载能效要求极高的应用场景，助力客户在电池供电设备中延长续航，在紧凑空间中实现高效电源转换。
Bourns 推出 CFG-A 系列宽端子金属箔电流感测电阻器Bourns® 全新 CFG-A 系列宽端子金属箔电流感测电阻器，提供 0508 与 0612 封装尺寸，符合 AEC-Q200 车规标准，具备最高 2 W 功率能力、低 TCR 及优异散热性能，专为汽车及高可靠度应用打造。 
如何用惠斯通电桥测准电阻式传感器的微小变化？收集力、压力、光、温度、应变和电流等物理现象的信息，对于系统设计是非常有价值的。传感器将物理现象的变化转换为可测量的量（如电压、电流和电阻），这通常需要在数字化之前进行信号调节 
SD卡高速接口电平转换+强ESD防护！艾为AW39106PLR赋能存储扩展新体验AW39106PLR是一款符合SD 3.0标准的高速双向电平转换器，集成自动方向检测、反馈时钟补偿与IEC 61000-4-2 Level 4级ESD防护，为SD/microSD存储扩展提供高可靠、小尺寸的单芯片方案。 
反激 RCD 缓冲避坑！漏电感带来的损耗权衡你真的算对了吗？
本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！
上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压。
图 1 显示了反激式转换器功率级和初级 MOSFET 电压波形。该转换器的工作原理是将能量存储在变压器的初级电感中，并在 MOSFET 关断时将能量释放到次级电感。
电源架构为何制约新太空 AI 任务卫星设计人员已经跨过了一道门槛。我们不再仅仅是将“多一点 DSP”送入轨道，而是部署与地面边缘服务器比肩的星载计算平台，能以数百 TOPS 的算力运行 AI 推理、自适应波束成形、动态频谱管理，以及实时分析 
HDI PCB 去耦电容为什么越来越难放？BGA、微孔与 PDN 设计一次讲清随着 BGA 间距不断缩小、HDI 叠层越来越复杂，许多 PCB 工程师发现一个曾经简单的问题变得越来越棘手：为什么去耦电容总是放不下？ 
