长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米 
面向储能安全预警的气体监测传感器：英飞凌XENSIV™ TCI 和XENSIV™ TCI-B 氢气传感器简介英飞凌（Infineon）推出的 XENSIV™ TCI 和XENSIV™ TCI-B 氢气（H₂）传感器，为储能热失控早期监测提供了一种可靠的氢气监测解决方案。 
国巨集团推出AS系列高速多层压电致动器，专为严苛工业应用打造AS 系列最高驱动能力可达 1 kHz，能够满足快速运动、振动发生及振动控制等应用对动态响应的需求；同时兼具高输出力与高温工作能力，在严苛环境下实现稳定、精准的驱动表现 
艾为 AWD8436 步进驱动：1/256 微步 + 堵转检测，破解精密智造运动控制痛点AWD8436系列是一款高度集成1/256 微步细分、实时电流检测、堵转检测和数字I2C控制接口双极步进电机驱动器，工作电压范围3~12V; 器件内部集成两路H桥驱动，每相绕组电流可达1.4A 
意法半导体电池管理芯片确保便携设备、轻型电动车和UPS的锂电池续航更长意法半导体L9962锂电池管理芯片内置12位模数转换器（ADC），具备优异的采样精度；同时支持高达70mA的电芯均衡电流，可快速校正电芯电压，改善电池健康状态。 
圣邦微电子推出具有电流监控功能的5.5V、7A低导通电阻负载开关SGM25007SGM25007是一款采用N-MOSFET架构的电源开关，具备7A负载保护能力，支持0.5V至5.5V的宽输入电压范围。 
SiC JFET的四大核心优势：重新定义电路保护本文将聚焦安森美SiC JFET及Combo JFET，从运行温度、封装尺寸、智能感测与易用性四个维度，深度解析其为何成为固态断路器设计的核心技术选择。 
TDK推出面向AI服务器、人形机器人与xEV的3225封装、10 μF/100V的低电阻软端子全新的100V SMD元件具有X7R特性，在3225封装中电容为10μF。具备低电阻与软端子特性，适用于汽车（符合AEC-Q200标准）及通用应用,有助于提升可靠性、减少元件数量，实现小型化 
工程师案头必备！思瑞浦发布《I²C总线及系统应用指南》，助力I²C系统设计针对I2C协议和相关器件在应用中常见的问题，思瑞浦推出了《I2C总线及系统应用指南》。对I2C器件从架构到应用提供实用指导，帮助工程师少走弯路、高效可靠地完成I2C系统设计。 
