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选择LDO时的主要考虑因素和挑战

在选择LDO之前，明确定义IC设计的具体要求非常重要。需要考虑电压调节需求、电源效率、噪声敏感度和物理约束等因素。

通过UFS 4.0，智能手机在执行AI任务时能够以更低的延迟和更高的效率处理数据，这不仅改善了用户体验，还为更加复杂和多样化的AI应用场景提供了可能。

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

本文概述了多种触摸传感器的类型及其产品特性，包括工作原理、灵敏度、精确度、适用场景等。

在数字化时代，海量数据的产生已经成为常态，从智能手机到物联网设备，数据源已经无处不在。传统的云计算模式虽然强大，但也存在着延迟、带宽和数据隐私等问题

光迅科技自主研发的OBAND 50G与100G EML芯片及器件，凭借其卓越的性能指标，可适配100GHz高密度波长间隔，为高速、大容量、低功耗、低时延数据传输提供更高性价比的系列方案。

电子产品的形状和尺寸多种多样，用于实现其功能的器件也是如此。起初，设计人员可能无法独自区分产品规格单上的不同器件封装类型，尤其是在参数没有区别的情况下

2024-09-13 | 器件封装

本文首先介绍了一个典型的共射极放大器，然后探讨了发射极旁路电容器的工作原理。我们将研究电容器对增益、失真和频率响应的影响

器件节省成本和空间，力度达120 N，额定工作电压低至12 V（8 V至16 V），可提供车载和商用高分辨触控效果

Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择

近年来，为了满足 5G、AI、汽车电子等新兴市场不断增长的算力需求，芯片的集成度不断提高，相应的功耗也随之增加。

2024-09-12 | Cadence, 芯片, AI

株式会社村田制作所面向1.2mm以下的低矮应用，开发了可以3.3输入电压输出上限12A的高效率DC-DC转换器IC“FlexiBK系列(PE24110)”

三星电子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产。

2024-09-12 | 三星, AI, QLC, V-NAND

本文深入探讨了SiC的基本特性、优势、减少体积以及加速其研发的方法，并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行实例分析，旨在为相关设计提供有益的参考与指导。

2024-09-12 | 碳化硅, DigiKey

今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术