PMT6397 推挽变压器：1500 Vpk 额定电压，助力高压隔离电源设计PMT6397 采用分段绕组设计，绕组间电容不高于 8 pF。其顶部绕线结构可使磁芯与引脚错开，在最大封装尺寸仅为 18 × 14 × 12.3 mm 的条件下，实现 17.6 mm 的爬电距离，兼顾紧凑封装与高压隔离设计需求 
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制本期技术剖析将带您了解Cascode SiC JFET的技术优势、利用外部 Cds控制 CJFET 关断时的 dv/dt等主题。 
AI正在抢走MLCC产能：2027年上半年，高端电容或迎来最紧缺时刻AI算力竞赛正在向产业链更深处延伸，高端MLCC也开始面临供应压力。MLCC市场正呈现明显分化。这轮行情会带来多大涨价压力？谁将掌握定价主动权？ 
汽车智能化迈向新阶段，时钟芯片筑牢可靠底座INS5A8900依托大普技术自研高精度温补算法与全流程自动化测试设备，通过全温区近200个温度点的密集测试与校准，有效消除频率偏差与局部跳点，实现平滑、连续的温频补偿 
如何理解SiC MOSFET额定直流电流与峰值电流 —— SiC MOSFET数据手册解析之IDDC,IDM工程师在拿到一颗SiC MOSFET的数据手册时，往往第一步就是要评估这颗料是否能满足系统的出电流能力，于是首先就会查看额定电流IDDC（continuous DC drain current）这个参数 
从触发到感知：线性霍尔的连续位置测量之路从瞳距调节、游戏手柄到磁轴键盘，越来越多的人机交互设备正在从“是否触发”走向“位置、行程和力度的连续感知”。线性霍尔传感器通过检测磁场强度的连续变化，在无机械接触的条件下实现位置量测 
圣邦微电子推出适用于汽车应用的24通道多路开关检测接口SGMCD1024xQ额外增加了脉冲激励状态锁存寄存器（对应地址为33h），专门用于记录和指示是哪个通道的开关状态发生了变化，方便用户事后查找和溯源。 
8相3LOOP，长工微推出新一代高端算力 V-Core 供电方案长工微推出 IS6212B+IS6829B V-Core供电方案，满足新一代高性能处理器平台的核心供电设计需求，为开发团队提供具备高可靠性、高可行性的国产化替代选型。 
仅 1.0mm 高！Bourns SRP201210V 以超小尺寸实现高电流电源设计Bourns 推出全新 SRP201210V 系列屏蔽型功率电感，采用金属合金粉末磁芯与磁屏蔽结构，在仅 2.0 mm × 1.2 mm 的小巧尺寸下，提供高电流性能与低高度设计。 
电容规格书没有ESR怎么选型？用Tan(δ)换算电容 ESR 的方法与误差注意点在查看电容规格书时，工程师经常需要关注ESR（Equivalent Series Resistance，等效串联电阻）。然而，许多电容产品的数据手册并不会直接提供ESR 数值 
5.5V动态调压+双接口高速通信，艾为AWD86037H赋能下一代影像防抖AWD86037H 采用 WLCSP-6B 封装，尺寸仅2.09mm×0.60mm×0.30mm，极致紧凑的体积使其能够轻松嵌入寸土寸金的手机摄像头模组内部 
