Littelfuse​

文章介绍了四个组件，这些组件可满足设计的基本需求，确保充电器电路保护、安全监控以及快速、高效的电力传输。

新型60V、900mA常开SSR采用紧凑型DIP-4和SMD封装，可提供5000VRMS强化隔离和高达+105°C的可靠运行。

本文探讨了向分区控制的过渡、分区控制对电源管理的影响，以及确保下一代汽车系统安全、可靠和高效运行的关键保护策略。

新型LF21173TMR和LF21177TMR开关采用紧凑型LGA4封装，可提供高灵敏度、快速响应并延长电池寿命，适用于电池供电的智能电子产品。

新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。

得益于近几年国内外SiC MOSFET的高速发展，用固态断路器（SSCB）来取代传统机械式断路器正越来越成为一种趋势，其核心就是用SiC MOSFET来取代传统的机械开关

这篇聊一下MOSFET的第二重防护，有源钳位（Active clamp），下图并联在GD之间的TVS2起到的就是这个作用，如果是IGBT的话就是GC之间并联一颗TVS2。

MOSFET的Drain（漏极）、Source（源极）、G（栅极）三个引脚，其两两之间都可以用TVS来做过压保护。

MOV = Metal Oxide Varistor，金属氧化物压敏电阻。记得以前还有个名称是VDR = Voltage Dependent Resistor，大概是电压关联电阻的意思

新型单通道驱动器采用2.5kV电容隔离技术，可提升功率密度、加快开关速度、增强电机驱动器、逆变器及工业电源的可靠性。