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研究人员最近发现了一种相对简单的技术，可以显著提高电池的寿命，加快制造速度，从而降低成本。

三星公司近期宣布成立全新的“HBM开发团队”，该团队将专注于前沿技术的研发，特别是HBM3、HBM3E以及备受期待的下一代HBM4技术

中移芯昇发布了全球首颗采用RISC-V CPU内核的超级SIM芯片“CC2560A”，无论性能还是功能都远胜传统SIM卡，甚至是以往的超级SIM卡。

据媒体报道，软银集团旗下的芯片设计公司Arm计划开发人工智能（AI）芯片，并力争在2025年推出首批产品。

美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多

长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求

日本东芝公司宣布，开发出了不含金属钴的锂离子电池，可以显著抑制电池副反应产生的气体，从而提升电池性能

该芯片在智能视觉目标识别任务方面的算力可达目前高性能商用芯片的3000余倍，为超高性能芯片的研发开辟全新路径。

芬兰阿尔托大学的工程师们已经开发出一种经改进的长距离无线充电方法。通过增强发射和接收天线之间的相互作用

高带宽内存（HBM）的首次迭代受到一定限制，每个堆栈的速度最高只能达到 128 GB/s。

本文先讲解电阻降压电路的计算

汽车仪表是驾驶员与汽车进行信息交流的重要接口，随着汽车电子技术的发展，汽车行驶状况和各机构、零部件的信息量显著增加

在WWDC 2023 开发者大会上，苹果宣布了其操作系统和产品的一系列升级。但最大亮点是Apple Vision Pro，苹果的首款混合现实设备，一经发布就成为世界热议的焦点。

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）

如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。

从快充和低温性能来看，在充电15分钟的情况下就能达到80%的容量，在零下20℃的低温环境下，仍能保持90%以上的放电保持率

SEMI 预计到 2025 年的时候，全球 300 mm 半导体晶圆厂的产能将再创新高。

由三位伯克利校友创办的 Jitx，就致力于为电路板设计的数字化方法带来重大变革。其提出了一种设计电路板的新思路 —— 使用代码来描述电路板的外观。