技术
时序器件赋能电动汽车系统提高安全与效率本文将深入剖析时序器件在快充应用中的核心角色,并探讨Murata(村田制作所)的晶体谐振器(Crystal Unit)、陶瓷振荡器(CERALOCK®)与混合晶体谐振器(HCR)等车规级产品
设计小型蓝牙医疗保健设备和可穿戴设备的技巧与解决方案本文将为您梳理设计小型蓝牙医疗保健设备的关键技巧,并分享如何借助Silicon Labs的高集成度SoC,助力创新者突破微型化边界,让互联健康触达这些此前未曾想象的应用场景。
面向储能安全预警的气体监测传感器:英飞凌XENSIV™ TCI 和XENSIV™ TCI-B 氢气传感器简介英飞凌(Infineon)推出的 XENSIV™ TCI 和XENSIV™ TCI-B 氢气(H₂)传感器,为储能热失控早期监测提供了一种可靠的氢气监测解决方案。
SiC JFET的四大核心优势:重新定义电路保护本文将聚焦安森美SiC JFET及Combo JFET,从运行温度、封装尺寸、智能感测与易用性四个维度,深度解析其为何成为固态断路器设计的核心技术选择。
软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法在ZVS软开关设计中,MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中,一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss。本文介绍两种工程上常用且计算精度较高的方法
高压至 48V 电源转换的 11 种优化之道当前,在工业、汽车、数据中心及国防领域,新建和已有的电气化应用均需要更高的功率。这促使系统向更高电压演进,并转换为更低的 DC SELV——即低于 50VDC 的电压,通常为 48VDC 或 28VDC
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑
SiC MOSFET必须加负压?单管拓扑其实可以“省”掉它!SiC MOSFET采用负压关断,核心目的是抑制桥式拓扑中互补开关管特有的米勒串扰误开通风险。而反激、正激、Buck、传统Boost PFC等单管拓扑全回路仅一只有源开关
同样是 LTE 接收,LNA 选型如何影响整机性能差距?在蜂窝通信系统中,频段日益增多、同时CA/MIMO/ENDC技术广泛应用,接收通路中的噪声和干扰也就变得越来越复杂。在接收通路中,低噪声放大器往往作为第一级有源器件,它决定了系统能否从噪声中“捞”出有用信号。
什么是 CUK 变换器典型工作波形?开关管/二极管应力与 LED 驱动应用指南CUK 变换器在 CCM(连续电流模式)下有 5 个关键工作波形:PWM(栅极驱动)、VSW(开关节点电压)、VD(续流二极管阳极电位)、IL1(输入电感电流)、IL2(输出电感电流)
软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法在ZVS(Zero Voltage Switching,零电压开关)软开关设计中,MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中,一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss(Output Capacitance Stored Energy)。
运放失调电压与增益误差,校准还是选高精度器件?
信号链由放大器、数据转换器、接口、时钟及定时器等多个核心组件构成。其核心目标是通过对实时信息的采集与处理,实现数据获取或系统控制。随着汽车电子、工业和服务器的飞速发展,如何在高噪声、高精度要求的复杂环境下构建稳健的信号链设计,已成为设计工程师面临的核心挑战。
2007年,德州仪器 (TI) 的信号链专家开始在《Electronic Design News (EDN)》杂志上推出了“信号链基础知识”(Signal Chain Basics)系列文章,深入剖析了模拟信号链的工作原理。我们从中选出了10篇文章,穿透复杂的电路图,从基础架构出发,逐步深入,结合当下高性能设计和系统级优化的需求,带您从理论到实战,更全面地掌握信号链设计的要领。
热失控发现太晚?EIS 引擎从电芯内部提前预警无论是为电网提供还是为电动汽车 (EV) 供电,当今的电池系统都需要安全、可预测地输送电能。电网级储能系统 (ESS) 的使用寿命可长达 20 年,但仍必须随着电网条件的变化进行充电和放电