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反激 RCD 缓冲避坑！漏电感带来的损耗权衡你真的算对了吗？
本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！
上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压。
图 1 显示了反激式转换器功率级和初级 MOSFET 电压波形。该转换器的工作原理是将能量存储在变压器的初级电感中，并在 MOSFET 关断时将能量释放到次级电感。
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新国标两小时预警窗口如何满足？TI BQ79826Z-Q1 电芯级阻抗监测给出答案过去十年间，EV 行业飞速发展。这一转型需要取得重大的工程进展，以克服在续航里程、充电速度和电池可靠性方面的早期局限性。 
800V+ 高压系统：如何用非接触式 FIR 技术化解"热失控"危局？本文对当前主流的两类温度传感技术：负温度系数（NTC）热敏电阻（接触式）与远红外（FIR）传感器（非接触式），进行了深入的技术对比分析。 
博世碳化硅S-Cell：未来功率电子系统，为什么开始选择嵌入式PCB技术？博世碳化硅S-Cell技术为将先进的碳化硅技术与创新的PCB嵌入式架构相结合提供了解决方案，为更强大的下一代逆变器和功率模块奠定了基础。 
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不同器件建模与优化对SiC MOSFET在极端工况下Tvj计算的影响与分析文章基于SPICE和PLECS的SiC MOSFET器件建模，进行了详细的优化和改进，并取得了很好的效果，尤其是PLECS模型优化中的在线热阻更新功能等 
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什么是宽禁带半导体？Si、SiC 和 GaN 基础知识总结从智能手机、电动汽车到可再生能源设备，支撑我们日常生活的众多电子产品中都离不开半导体。近年来，“宽禁带 (WBG) 半导体”一词频频进入公众视野。 
