文章探讨了 Wolfspeed 在碳化硅衬底的成本、可扩展性和质量等最严峻挑战方面的研究，包括了碳化硅外延和衬底厚度如何影响高电压器件。
基于 Wolfspeed 第四代 (Gen 4) MOSFET 技术开发的新型TOLT封装，助力下一代 AI 数据中心实现更高的功率密度和热性能。
Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案
Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅技术将能够在晶圆级别集成高电压功率传输系统、先进热解决方案和有源互连，从而将系统性能扩展到传统的晶体管缩放极限之上。
本文概述了 Wolfspeed 在碳化硅 (SiC) 功率模块中应对功率循环挑战的方法，探讨了失效模式、测试方法、寿命建模
本白皮书探讨了碳化硅 (SiC) 功率器件封装的创新，重点介绍了它们在满足现代电力应用需求方面的关键作用
C4MS 系列采用软恢复体二极管，可实现快速开关，同时将过冲和振铃降至最低，从而为工程师提供了更大的设计空间，以便在应用中调整和优化性能
Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块（TM4），专为电动汽车牵引逆变系统设计，可根据具体需求灵活优化系统性能。
面对电力电子应用与日俱增的需求，高电压系统研发工程师正更多地转向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的温度特性和开关性能优势。
Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。