Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%
这两款 3.3 kV 模块系列，使得设计工程师们能够减少功率级数，并转向用于 2 kV 及以上直流母线架构的两电平拓扑 — 同时提供带基板和不带基板的碳化硅（SiC）功率模块供选择。
正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料
文章探讨了 Wolfspeed 在碳化硅衬底的成本、可扩展性和质量等最严峻挑战方面的研究，包括了碳化硅外延和衬底厚度如何影响高电压器件。
基于 Wolfspeed 第四代 (Gen 4) MOSFET 技术开发的新型TOLT封装，助力下一代 AI 数据中心实现更高的功率密度和热性能。
Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案
Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅技术将能够在晶圆级别集成高电压功率传输系统、先进热解决方案和有源互连，从而将系统性能扩展到传统的晶体管缩放极限之上。
本文概述了 Wolfspeed 在碳化硅 (SiC) 功率模块中应对功率循环挑战的方法，探讨了失效模式、测试方法、寿命建模
本白皮书探讨了碳化硅 (SiC) 功率器件封装的创新，重点介绍了它们在满足现代电力应用需求方面的关键作用
C4MS 系列采用软恢复体二极管，可实现快速开关，同时将过冲和振铃降至最低，从而为工程师提供了更大的设计空间，以便在应用中调整和优化性能