Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
judy -- 周一, 07/07/2025 - 09:48
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列,可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
本文将介绍碳化硅分立解决方案和功率模块在住宅和商用热泵及空调设计中的技术考虑因素和实际应用。
本文将介绍如何简化、加快碳化硅设计流程并降低风险,以及如何在工业电机驱动系统中更轻松地实现 IE4 和 IE5 节能目标。
由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模,从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。
数据中心是数字世界的支柱,其中大量的服务器为互联网、云计算和其他数据驱动型服务赋能。
本文将探讨 Wolfspeed WolfPACK 功率模块如何将损耗降低高达 50%,同时实现更小、更轻、热稳定性更高的嵌入式 25 kW 三相工业低电压电机驱动器。
碳化硅(SiC)功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域