功率半导体

三菱电机集团近日宣布，其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片

三菱电机集团近日宣布，将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体

在功率电子领域，要论如今炙手可热的器件，SiC要说是第二，就没有人敢说第一了

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。

随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。

30A的高额定电流将助力简化和缩小家电应用中的逆变器系统

东芝集团近日宣布将在日本兵库县建设新的功率半导体器件、模块制造设施。项目预计于2025年春季投产，有望将东芝在该基地的车规功率半导体产能增加一倍以上。

株式会社村田制作所已将面向下一代功率半导体之一的GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”商品化。现已开始量产。

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。