SiC MOSFET

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构，实现了业界领先的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。

无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景

英飞凌在 SiC 器件设计中，是如何在开关性能、耐压冗余与长期可靠性三者之间做权衡与优化？

 TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻（VGS=18V，ID=75A，Tj=25℃）配合1200V的击穿电压能力，为高功率密度应用树立了新的技术标杆

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性

采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。