Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
judy -- 周一, 10/14/2024 - 14:58
SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案，可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管
SiC MOSFET
SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估
judy -- 周二, 10/08/2024 - 10:52
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。
一款适用于光伏应用的半桥评估板设计
judy -- 周二, 08/06/2024 - 15:20
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
judy -- 周一, 06/03/2024 - 10:43
本文将介绍根据在上一篇文章中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
judy -- 周四, 05/23/2024 - 10:49
可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
谈谈SiC MOSFET的短路能力
judy -- 周三, 01/31/2024 - 10:16
为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多，这是SiC天生的缺陷吗？今天我们简单分析一下。
门极驱动正压对功率半导体性能的影响
judy -- 周四, 01/25/2024 - 11:17
本文将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
judy -- 周二, 10/24/2023 - 10:48
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
judy -- 周二, 05/23/2023 - 15:18
为了提供更快的充电速度，车载充电器需要一种专为更高电压和更高开关频率设计的新拓扑结构。
三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
judy -- 周五, 05/12/2023 - 08:28
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms