SiC MOSFET

与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。

本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器（PFC）级，分析并比较了二者在车载充电器（OBC）应用中的性能。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。

三相四桥臂变换器具有最强的抑制三相电压不平衡能力和灵活的单相供电能力。通常使用三次谐波注入的载波调制方法来提高直流电压利用率以及方便的解耦三相控制

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍超小型全SiC DIPIPM。

传统分立式SiC MOSFET与散热器的隔离依赖于外部导热电绝缘材料。这不仅增加了结对散热片的热阻，还使热管理复杂化，并在自动和手动装配过程中造成障碍。

Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。