SiC MOSFET

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍超小型全SiC DIPIPM。

传统分立式SiC MOSFET与散热器的隔离依赖于外部导热电绝缘材料。这不仅增加了结对散热片的热阻，还使热管理复杂化，并在自动和手动装配过程中造成障碍。

Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。

栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键，设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等，本章节带你了解栅极驱动电压的影响以及驱动电源的要求。

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。