SiC MOSFET

第29讲:三菱电机SiC MOSFET在铁路牵引中的应用(2)

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。

第28讲:三菱电机SiC MOSFET在铁路牵引中的应用(1)

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

第27讲:三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用(2)

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品,包括模块及芯片。

第26讲:三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用(1)

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。

SiC MOSFET在三相四桥臂变换器中的应用优势

三相四桥臂变换器具有最强的抑制三相电压不平衡能力和灵活的单相供电能力。通常使用三次谐波注入的载波调制方法来提高直流电压利用率以及方便的解耦三相控制

第24讲:SiC DIPIPM在变频家电中的应用(1)

在Si-IGBT DIPIPM基础上,三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM,本章节主要介绍超小型全SiC DIPIPM。

先进隔离分立封装使SiC MOSFET芯片温度降低60°C

传统分立式SiC MOSFET与散热器的隔离依赖于外部导热电绝缘材料。这不仅增加了结对散热片的热阻,还使热管理复杂化,并在自动和手动装配过程中造成障碍。

利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

Littelfuse提供高效的保护解决方案,有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用,其潜力毋庸置疑。然而,从当前高功率碳化硅MOSFET来看,仍存在一个难题

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

新模型“ROHM Level 3L3过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%