SiC MOSFET

可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能

为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多，这是SiC天生的缺陷吗？今天我们简单分析一下。

本文将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。

CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度

为了提供更快的充电速度，车载充电器需要一种专为更高电压和更高开关频率设计的新拓扑结构。

三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms

本文将讨论3kW PFC单相交流输入电源的设计，该电源具有超过40 W/in3的功率密度，满载效率为98.4%

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

原来1.5小时，现在只需20分钟就能将电动汽车（EV）从5%的荷电状态（SoC）充电至80%，这样的电动汽车充电方案你喜欢吗？

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms