SiC MOSFET | 电子创新元件网

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

judy -- 周二, 06/10/2025 - 16:05

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

judy -- 周三, 05/28/2025 - 16:14

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

judy -- 周三, 05/21/2025 - 15:21

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。

judy -- 周三, 04/30/2025 - 12:41

栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键，设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等，本章节带你了解栅极驱动电压的影响以及驱动电源的要求。

judy -- 周三, 04/23/2025 - 15:55

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

judy -- 周三, 03/26/2025 - 10:33

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

judy -- 周五, 01/17/2025 - 10:43

本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性，回顾了SiC MOSFET的发展历程

judy -- 周四, 01/02/2025 - 11:44

在本文中，我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准

judy -- 周三, 12/04/2024 - 10:55

本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。

judy -- 周一, 10/14/2024 - 14:58

SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案，可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管