门极驱动正压对功率半导体性能的影响
judy -- 周四, 01/25/2024 - 11:17
本文将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
SiC MOSFET
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
judy -- 周二, 10/24/2023 - 10:48
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
judy -- 周二, 05/23/2023 - 15:18
为了提供更快的充电速度，车载充电器需要一种专为更高电压和更高开关频率设计的新拓扑结构。
三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
judy -- 周五, 05/12/2023 - 08:28
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms
采用SiC MOSFET的3kW图腾柱无桥PFC和次级端稳压LLC电源
judy -- 周三, 04/26/2023 - 11:00
本文将讨论3kW PFC单相交流输入电源的设计，该电源具有超过40 W/in3的功率密度，满载效率为98.4%
SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性
judy -- 周二, 04/11/2023 - 10:16
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。
800V架构，能治好电动汽车用户的“里程焦虑”吗？
judy -- 周四, 02/16/2023 - 15:16
原来1.5小时，现在只需20分钟就能将电动汽车（EV）从5%的荷电状态（SoC）充电至80%，这样的电动汽车充电方案你喜欢吗？
瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET的新型栅极驱动IC
judy -- 周一, 01/30/2023 - 15:03
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
judy -- 周五, 01/13/2023 - 10:44
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
judy -- 周三, 12/28/2022 - 10:38
从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化