用第三代 SiC MOSFET设计电源性能和能效表现惊人!
judy -- 周五, 01/17/2025 - 10:43
本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性,回顾了SiC MOSFET的发展历程
本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性,回顾了SiC MOSFET的发展历程
在本文中,我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准
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SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案,可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。
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可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能
为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多,这是SiC天生的缺陷吗?今天我们简单分析一下。
本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。