作者：周明，文章来源：英飞凌工业半导体
CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。产品系列如下：
上表给出了G1与G2建议的替代关系。比如G1 IMZA120R040M1H同G2 IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H处在同一行，可以相互替换。为了兼容G1以及更大爬电的需求，推出了2种封装，分别是IMZC和IMZA，实物图如下：
CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列对比G1,有着更低的开关损耗和改善的热性能，同时，有着更宽的门极Vgs电压耐受范围，正压从G1的最大+23V，提升到G2的最大+25V，负压维持最小-10V不变。对比G1，G2的成本会更低，性能会更好。下面我们将就不同应用，分析G2对效率及结温的改善。
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