Qorvo

Qorvo推出具有卓越能效的新一代 Matter™ 解决方案

QPG6200L 的超低功耗特性显著延长电池寿命,支持更加可持续的智能家居解决方案。

Qorvo® 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器

该款全新 1.8GHz 表面贴装模块带来卓越的效率和性能,且尺寸比传统混合解决方案缩小 30-40%,非常适合空间受限的应用场景。

革新电路保护:Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级

Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断路器设计和性能

Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器

UWB技术引领汽车安全与互联驾驶的新纪元

随着超宽带(Ultra-Wideband,UWB)技术的持续演进,它有望彻底革新车辆的功能与驾驶效率,并打造更安全、更互联的驾驶体验。

Qorvo推出高增益5G mMIMO 预驱动器

QPA9822作为一款宽频带、高增益、高线性的驱动放大器,专为32 节点mMIMO系统设计。可实现高达530MHz的5G新空口(NR)瞬时信号带宽

Qorvo®推出简化DOCSIS® 4.0 CATV网络升级的创新芯片

DOCSIS 4.0技术可通过电缆的混合光纤同轴 (HFC)网络实现下一代宽带,不仅提供对称的数千兆网速,而且支持高可靠性、高安全性和低延迟。

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

本文将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET(共源共栅结构FET)相较于同类SiC MOSFET的显著优势。

Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

Qorvo推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置

Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率