Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能
judy -- 周二, 01/30/2024 - 10:40UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
本章将更深入地介绍多路复用器滤波器,以及它们如何用于各种应用中。
本篇继续阐述 RF 滤波器的一些重要概念。
在这篇文章中,我们将讨论PA和它们在5G中的作用,以及Qorvo如何利用PAM助力未来的5G基础设施。
宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛
本篇推文继续谈5G射频~
本文(上篇)将讲解5G NR的部分技术方面,以便您能理解那些背后的技术
QM55011 支持扩展的 NB-IoT 和 LTE-M 标准,提供低至 2.5V 的工作电压,实现更广泛的电池选择,并消除升压转换器带来的尺寸和成本影响
射频(RF)滤波器是所有RF/微波系统的基础元件,特别是具备多个信道或频段的无线通信系统
Qorvo推出新一代电路仿真软件QSPICETM,通过提升仿真速度、功能和可靠性,为电源和模拟设计人员带来更高水平的设计生产力。