文章探讨了 Wolfspeed 在碳化硅衬底的成本、可扩展性和质量等最严峻挑战方面的研究，包括了碳化硅外延和衬底厚度如何影响高电压器件。
派恩杰本报告旨在深入浅出地分析SiC MOSFET中的栅氧可靠性问题，重点对比两种主流技术路线——平面栅(Planar Gate)和沟槽栅(Trench Gate)
Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案
可将电磁干扰 (EMI) 性能提升高达 20dB，从而提高整体系统效率，并为设计人员大幅减少解决噪声问题所需的时间投入。
Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅技术将能够在晶圆级别集成高电压功率传输系统、先进热解决方案和有源互连，从而将系统性能扩展到传统的晶体管缩放极限之上。
本文概述了 Wolfspeed 在碳化硅 (SiC) 功率模块中应对功率循环挑战的方法，探讨了失效模式、测试方法、寿命建模
本白皮书探讨了碳化硅 (SiC) 功率器件封装的创新，重点介绍了它们在满足现代电力应用需求方面的关键作用
近日，芯塔电子自主研发的第三代碳化硅MOSFET成功实现向华南某大型集中式光伏电站的大批量交付，并已全面应用于该电站的核心功率转换环节。
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试
Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块（TM4），专为电动汽车牵引逆变系统设计，可根据具体需求灵活优化系统性能。