本文探讨碳化硅（SiC）在高压电源应用中的设计要点，包括栅极驱动、热管理、电磁干扰控制等，助力高效、可靠的电源系统开发。
面对电力电子应用与日俱增的需求，高电压系统研发工程师正更多地转向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的温度特性和开关性能优势。
本文为第一篇，将聚焦工业充电器简介、PFC 级选型。
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项，能显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力
Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。
碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富
DSCxxA065LP 系列的反向漏电流 (IR) 也低于业界其他产品，最大仅为 20µA。这能大幅降低热耗散和传导损耗，提高系统稳定性以及可靠度
随着SiC的应用增多，客户对SiC技术知识的积累正热情高涨。然而在日常访客过程中，我发现即使是资深的研发工程师，都会存在两个最常见的认知误区