本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
800 V 直流母线需要 1200 V 碳化硅 MOSFET 用于 AC-DC 整流和 DC-DC 转换，可将转换损耗降低 25-40%。
电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能（AI）数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率
正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料
文章探讨了 Wolfspeed 在碳化硅衬底的成本、可扩展性和质量等最严峻挑战方面的研究，包括了碳化硅外延和衬底厚度如何影响高电压器件。
派恩杰本报告旨在深入浅出地分析SiC MOSFET中的栅氧可靠性问题，重点对比两种主流技术路线——平面栅(Planar Gate)和沟槽栅(Trench Gate)
Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案
可将电磁干扰 (EMI) 性能提升高达 20dB，从而提高整体系统效率，并为设计人员大幅减少解决噪声问题所需的时间投入。
Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅技术将能够在晶圆级别集成高电压功率传输系统、先进热解决方案和有源互连，从而将系统性能扩展到传统的晶体管缩放极限之上。
本文概述了 Wolfspeed 在碳化硅 (SiC) 功率模块中应对功率循环挑战的方法，探讨了失效模式、测试方法、寿命建模