这两款 3.3 kV 模块系列，使得设计工程师们能够减少功率级数，并转向用于 2 kV 及以上直流母线架构的两电平拓扑 — 同时提供带基板和不带基板的碳化硅（SiC）功率模块供选择。
本文将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。
在器件层面，硅 (Si) 基半导体在中高电压下遭遇了硬性的物理极限 — 迫使工程师将多个组件串联堆叠，而每增加一级，损耗、热量、复杂性和失效点都会成倍增加。
本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
800 V 直流母线需要 1200 V 碳化硅 MOSFET 用于 AC-DC 整流和 DC-DC 转换，可将转换损耗降低 25-40%。
电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能（AI）数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率
正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料
文章探讨了 Wolfspeed 在碳化硅衬底的成本、可扩展性和质量等最严峻挑战方面的研究，包括了碳化硅外延和衬底厚度如何影响高电压器件。
派恩杰本报告旨在深入浅出地分析SiC MOSFET中的栅氧可靠性问题，重点对比两种主流技术路线——平面栅(Planar Gate)和沟槽栅(Trench Gate)
Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案