​碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种化合物,由硅(Silicon,化学符号Si)和碳(Carbon,化学符号C)元素组成。它是一种无机化合物,拥有许多特殊的性质,使其在多个领域中得到广泛应用。 碳化硅的独特性质使其在高性能电子器件、耐磨材料和其他高温高压应用中发挥着关键作用。

Wolfspeed宣布推出新型车规级塑封TM4功率模块

Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块(TM4),专为电动汽车牵引逆变系统设计,可根据具体需求灵活优化系统性能。

让SiC驱动更简更省:米勒钳位+负压自举供电方案来了!

本篇聚焦自举供电场景,重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案,通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合,从而省去了专门的负压隔离电路设计

碳化硅电源设计中的几个关键注意事项

本文探讨碳化硅(SiC)在高压电源应用中的设计要点,包括栅极驱动、热管理、电磁干扰控制等,助力高效、可靠的电源系统开发。

解析 Wolfspeed 顶部散热 (TSC) 碳化硅功率器件

面对电力电子应用与日俱增的需求,高电压系统研发工程师正更多地转向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的温度特性和开关性能优势。

工业充电器拓扑结构选型基础知识:升压PFC拓扑

本文为第一篇,将聚焦工业充电器简介、PFC 级选型。

Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗

该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。

Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术,助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本

Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列,可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力

利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

Littelfuse提供高效的保护解决方案,有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用,其潜力毋庸置疑。然而,从当前高功率碳化硅MOSFET来看,仍存在一个难题

基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET

基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富