三菱电机

通过采用RC-IGBT，三菱电机实现了更小的模块尺寸，当安装在逆变器基板上时，封装尺寸相比传统产品减少至53%，从而有助于实现更紧凑的设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。