三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
judy -- 周四, 06/08/2023 - 11:00
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上
三菱电机和材料、网络和激光领域的开拓者Coherent近日宣布,双方已签署一份谅解备忘录,将在扩大生产200mm SiC功率器件方面进行合作
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品,该半桥模块额定电压为3.3kV,绝缘耐压为6.0kVrms
30A的高额定电流将助力简化和缩小家电应用中的逆变器系统
该新芯片将有助于增加数字相干通信的容量,并同时缩小光收发器的尺寸。
此次新发售的2kV工业LV100封装T系列IGBT模块是为DC1500V电力变换器设计的2kV耐压产品,主要可用于几百千瓦到几兆瓦级的大容量系统,以满足可再生能源的供电需求。
50Gbps DFB激光器能够在宽工作温度范围(-40℃至+90℃)内实现高速运行(50Gbps),并确保了小型光收发器的规格兼容性。与以往25Gbps的产品相比,该产品传输速度可达到2倍