第9讲:SiC的加工工艺(1)离子注入
judy -- 周一, 11/11/2024 - 15:50
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
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本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。
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三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件