三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

第12讲:三菱电机高压SiC芯片技术

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。

第11讲:三菱电机工业SiC芯片技术

本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。

第10讲:SiC的加工工艺(2)栅极绝缘层

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不同之处。

三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET,与传统的平面栅SiC-MOSFET相比,其功率损耗降低了约50%

第9讲:SiC的加工工艺(1)离子注入

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

第7讲:SiC单晶衬底加工技术

本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。

三菱电机开始提供采用12英寸晶圆制成的功率半导体芯片

三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片

第6讲:SiC单晶生长技术

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等,本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

第5讲:SiC的晶体缺陷

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。