第12讲:三菱电机高压SiC芯片技术
judy -- 周五, 12/20/2024 - 10:58
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。
本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。
栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不同之处。
三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET,与传统的平面栅SiC-MOSFET相比,其功率损耗降低了约50%
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。
三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片
目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等,本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管
本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。