第13讲:超小型全SiC DIPIPM
judy -- 周三, 01/08/2025 - 10:23
在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。
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新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻,有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。
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本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。
栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不同之处。
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本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。
三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片
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