三菱电机

三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年，集团营收50036亿日元（约合美元373亿）。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

三菱电机开始提供工业用第8代IGBT模块样品

judy -- 周五, 01/17/2025 - 09:59

该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片，有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗，提高逆变器的输出功率。

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第13讲：超小型全SiC DIPIPM

judy -- 周三, 01/08/2025 - 10:23

在Si-IGBT的DIPIPM基础上，三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。

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三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品

judy -- 周三, 12/25/2024 - 15:13

新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻，有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。

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第12讲：三菱电机高压SiC芯片技术

judy -- 周五, 12/20/2024 - 10:58

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。

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第11讲：三菱电机工业SiC芯片技术

judy -- 周三, 12/04/2024 - 10:55

本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。

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第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层

judy -- 周五, 11/22/2024 - 14:36

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。

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三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品

judy -- 周三, 11/13/2024 - 10:05

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%

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第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入

judy -- 周一, 11/11/2024 - 15:50

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

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第7讲：SiC单晶衬底加工技术

judy -- 周一, 10/14/2024 - 15:18

本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。

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三菱电机开始提供采用12英寸晶圆制成的功率半导体芯片

judy -- 周三, 10/09/2024 - 11:16

三菱电机集团近日宣布，其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片

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