三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品
judy -- 周五, 03/01/2024 - 09:12三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品
三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品
六种紧凑型T-PM及模块阵容将为xEV带来更小、更高效的逆变器
三菱电机集团近日宣布,将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体
本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
三菱电机将开始为5G mMIMO基站提供GaN功率放大器模块的样品,该模块可在3.4GHz至3.8GHz的宽频段范围内提供8W的平均输出功率
三菱电机集团近日宣布,已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology,今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体
三菱电机开发出首款使用单个放大器即可覆盖3400MHz频段的氮化镓(GaN)功率放大器。该技术已被证明可用于在单个基站中以不同频率运行的4G、5G和Beyond 5G/6G通信系统。
该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上
三菱电机和材料、网络和激光领域的开拓者Coherent近日宣布,双方已签署一份谅解备忘录,将在扩大生产200mm SiC功率器件方面进行合作