三菱电机开始提供5G Massive MIMO基站用16W GaN功率放大器模块样品

三菱电机集团近日(2024年6月4日)宣布,将于6月11日开始为5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化镓(GaN)功率放大器模块(PAM)的样品。PAM可用于32T32R mMIMO天线*2,以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗,随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展,预计PAM将得到越来越多地部署。三菱电机将于6月18日至20日在美国华盛顿特区举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS)2024上展出其新型16W GaN PAM。

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用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM(MGFS52G38MB)

使用mMIMO基站实现高速、大容量通信的工作主要在城市取得进展。为了进一步降低功耗和制造成本,对具有更高效率和模块化的功率放大器的需求不断增长。PAM在宽频率范围内实现符合3GPP标准的低失真特性*3,从而与不同国家/地区的移动网络广泛兼容。随着未来5G网络从城市中心扩展到偏远地区,要求mMIMO基站提供更广泛的通信范围和更低的成本,使用具备超高性能的功率放大器将帮助实现这种可能。

2023年9月,三菱电机开始提供GaN PAM的样品,该样品在3.4至3.8GHz的宽频率范围内实现8W(39dBm)的平均输出功率,适用于5G基站的64T64R mMIMO天线*4。此次发布的16W(42dBm) GaN PAM在3.3至3.8GHz的宽频率范围内实现了更高的平均输出功率,适用于32T32R mMIMO天线,扩展了5G mMIMO基站的通信范围,并通过减少所需的PAM数量降低了其制造成本。

产品特点

减少功率放大器模块数量,扩展5G mMIMO基站通信范围

  • 与现有的8W GaN PAM相比,新型16W GaN PAM使32T32R mMIMO天线使用的功率放大器数量减少了一半,同时达到了64T64R mMIMO天线的通信范围,从而降低了5G mMIMO基站的制造成本。

  • 与现有的8W产品相比,16W的GaN PAM将64T64R mMIMO天线的功率提高了一倍,扩展了5G mMIMO基站的通信范围。

500MHz频段40%的高效率,降低了5G mMIMO基站的功耗

  • 具有外延生长层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)*5,使其在5G环境中实现高效率和低失真特性。

  • 三菱电机独特的宽带Doherty电路*6缓解了GaN HEMT输出寄生电容造成的带宽限制,在500MHz频段实现了40%的功率附加效率,从而降低5G mMIMO基站的功耗。

功率放大器的模块化,降低了5G mMIMO基站的电路设计负担和制造成本

  • 三菱电机独特的高密度封装技术实现了5G基站功率放大器不可或缺的Doherty电路PAM。

  • 新PAM的部署将减少5G mMIMO基站所需的组件数量,从而简化电路设计并降低制造成本。

主要规格

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环保意识

本产品符合RoHS*7指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

网站

有关高频器件的更多信息,请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/hf/

*1:在发射器和接收器中使用多个天线的无线通信技术,以提高通信速度和质量

*2:由32个发射器和接收器组成的Massive MIMO天线

*3:5G带内和带外失真特性由第三代合作伙伴计划(3GPP)监管

*4:由64个发射器和接收器组成的Massive MIMO天线

*5:在结晶衬底上生长结晶薄膜形成的薄膜晶体生长层

*6:W.H. Doherty于1936年提出的功率放大器的高效电路技术

*7:Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。