三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

第7讲:SiC单晶衬底加工技术

本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。

三菱电机开始提供采用12英寸晶圆制成的功率半导体芯片

三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片

第6讲:SiC单晶生长技术

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等,本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

第5讲:SiC的晶体缺陷

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

三菱电机开始提供用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品

三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片,将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据

第3讲:SiC的晶体结构

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

第2讲:三菱电机SiC器件发展史

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史,从基础研究、应用研究到批量商业化,从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

第1讲:三菱电机功率器件发展史

三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件

三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

新的低电流模块,适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统,适用不同功率要求的大型工业设备