三菱电机

三菱电机集团于6月8日宣布，已与全球领先的功率半导体制造商Semikron Danfoss合作，共同开发出一种用于工业驱动设备和可再生能源系统的新型封装标准功率模块。该封装内集成了三电平电路。

第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构，实现了业界先进水平³的低导通电阻，相比现有产品降低约25%。

这些技术进步使功率损耗比配备第7代IGBT的现有产品降低约19%，有助于降低逆变器的能耗。

此项突破性成果有望优化绝缘栅双极性晶体管（IGBT）的设计与制造工艺，从而提升其能效表现并降低功率损耗

该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器，车载充电器以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试

通过在芯片终端区域采用新型电场弛豫结构和表面电荷控制技术将芯片的终端面积减小约30%，同时抗湿性提升了20倍

采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。

通过采用RC-IGBT，三菱电机实现了更小的模块尺寸，当安装在逆变器基板上时，封装尺寸相比传统产品减少至53%，从而有助于实现更紧凑的设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。