三菱电机

三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年，集团营收50036亿日元（约合美元373亿）。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品

judy -- 周三, 11/13/2024 - 10:05

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%

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第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入

judy -- 周一, 11/11/2024 - 15:50

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

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第7讲：SiC单晶衬底加工技术

judy -- 周一, 10/14/2024 - 15:18

本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。

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三菱电机开始提供采用12英寸晶圆制成的功率半导体芯片

judy -- 周三, 10/09/2024 - 11:16

三菱电机集团近日宣布，其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片

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第6讲：SiC单晶生长技术

judy -- 周四, 09/19/2024 - 11:04

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

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更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块

judy -- 周六, 09/14/2024 - 11:02

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

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第5讲：SiC的晶体缺陷

judy -- 周四, 09/05/2024 - 10:50

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

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三菱电机开始提供用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品

judy -- 周三, 09/04/2024 - 14:31

三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据

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第3讲：SiC的晶体结构

judy -- 周三, 08/07/2024 - 10:22

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

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第2讲：三菱电机SiC器件发展史

judy -- 周五, 07/26/2024 - 10:41

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

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