第7讲:SiC单晶衬底加工技术
judy -- 周一, 10/14/2024 - 15:18本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。
本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。
三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅晶圆制造的功率半导体芯片
目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等,本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管
本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。
三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片,将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据
本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。
三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史,从基础研究、应用研究到批量商业化,从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件
新的低电流模块,适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统,适用不同功率要求的大型工业设备