三菱电机集团于2026年6月4日宣布，将于同年6月下旬起陆续开始提供两款新型第5代SiC MOSFET裸芯片样品。该芯片适用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）及其他电动化车辆（xEV）的电机驱动逆变器与eAxles¹（电驱动桥）。第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构²，实现了业界先进水平³的低导通电阻⁴，相比现有产品降低约25%⁵。
沟槽栅型SiC MOSFET晶圆 | 沟槽栅型SiC MOSFET裸芯片布局（样品渲染图）
该芯片将在德国纽伦堡举办的PCIM Expo & Conference 2026（2026年6月9-11日）以及日本、中国等相关展会上展出。
