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Vishay推出采用数字输入输出接口的25 MBd光耦，简化设计并降低成本

judy -- 周三, 05/29/2024 - 10:28

器件脉宽失真低至6 ns，供电电流仅为2 mA，工作温度高达+110 °C，适于各种工业应用

judy -- 周一, 05/13/2024 - 16:26

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺，符合MIL-STD-981 S级标准

judy -- 周二, 05/07/2024 - 10:15

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

judy -- 周三, 04/24/2024 - 15:38

通孔器件采用铁氧体磁芯技术，工作温度达 +155 °C，直流内阻低，有助于减少功耗，提高效率

judy -- 周五, 04/19/2024 - 09:36

SMD器件发光强度达2300 mcd，波长分别为525 nm和465 nm，适用于心率监测和烟雾探测

judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:50

Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 °C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。

judy -- 周四, 03/14/2024 - 09:49

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计

judy -- 周三, 03/13/2024 - 15:03

升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV

judy -- 周三, 03/06/2024 - 14:39

自我保护器件R25阻值达1 kΩ，可处理直流电压高达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，适于汽车和工业应用

judy -- 周四, 02/29/2024 - 09:31

新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。