Vishay

Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计

Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块

升级版TFBS4xxTFDU4xx系列红外(IR)收发器模块链路距离延长20 %,抗ESD能力提高到2 kV

Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能

自我保护器件R25阻值达1 kΩ,可处理直流电压高达1200 VDC,能量吸收能力达240 J,适于汽车和工业应用

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装,提高系统功率密度,改进热性能

Vishay推出超小型高集成度的可见光敏感度增强型高速PIN光电二极管

器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活,适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用

Vishay推出新款全集成超小型接近传感器,待机电流低至5 μA

与上一代解决方案相比,日前发布的接近传感器封装面积减小20%、待机电流降低20%仅为5 μA,阳光抵消量提高40%达140 klx

Vishay为其高性能红外接收器模块推出升级版

增强型解决方案采用Minicast封装,可提供即插即用的方式替换现有系列器件,供电电流降低50 %,抗ESD能力达到12 kV

Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供电电流低至5 mA,电压范围2.7 V至5.5 V

高速器件有助于工业应用节能,适用于低压微控制器和I2C总线系统

SuperTan® 钽壳液钽电容器,抗冲击和耐振动能力达到高可靠性应用 H 级标准

Vishay 推出采用玻璃-金属密封条密封的新系列液钽电容器。D 型封装器件容量达 470 µF 至 1500 µF,120 Hz 和 + 25 °C 条件下标准容差为 ± 20 %,同时提供公差为 ± 10 % 的产品