Vishay

与上一代解决方案相比，日前发布的接近传感器封装面积减小20%、待机电流降低20%仅为5 μA，阳光抵消量提高40%达140 klx

增强型解决方案采用Minicast封装，可提供即插即用的方式替换现有系列器件，供电电流降低50 %，抗ESD能力达到12 kV

高速器件有助于工业应用节能，适用于低压微控制器和I2C总线系统

Vishay 推出采用玻璃-金属密封条密封的新系列液钽电容器。D 型封装器件容量达 470 µF 至 1500 µF，120 Hz 和 + 25 °C 条件下标准容差为 ± 20 %，同时提供公差为 ± 10 % 的产品

microBRICK®器件采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封装，小于竞品解决方案69 %，输入电压4.5 V至 60 V

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

器件配置内部设计的新型IC，以引脚兼容方式替换前代解决方案，功耗降低50 %，同时改善性能

本文介绍基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓扑的同步降压转换器产生负电压, 通过简单修改电路的参考节点

节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装，内置3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS

器件采用小型1.85 mm x 1.2 mm x 0.6 mm SMD封装，电流传输比达31 %，感应距离15毫米，且功耗更低