Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET
judy -- 周二, 05/07/2024 - 10:15
第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效
Vishay
Vishay推出饱和电流达230 A的超薄汽车级IHDF边绕电感器
judy -- 周三, 04/24/2024 - 15:38
通孔器件采用铁氧体磁芯技术，工作温度达 +155 °C，直流内阻低，有助于减少功耗，提高效率
Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED
judy -- 周五, 04/19/2024 - 09:36
SMD器件发光强度达2300 mcd， 波长分别为525 nm和465 nm，适用于心率监测和烟雾探测
Vishay推出旋钮电位器，简化工业和音频应用设计并优化成本
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:50
Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 °C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。
Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET
judy -- 周四, 03/14/2024 - 09:49
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计
Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块
judy -- 周三, 03/13/2024 - 15:03
Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能
judy -- 周三, 03/06/2024 - 14:39
自我保护器件R25阻值达1 kΩ，可处理直流电压高达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，适于汽车和工业应用
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
judy -- 周四, 02/29/2024 - 09:31
新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET
judy -- 周二, 02/20/2024 - 10:18
器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装，提高系统功率密度，改进热性能
Vishay推出超小型高集成度的可见光敏感度增强型高速PIN光电二极管
judy -- 周四, 02/01/2024 - 10:19
器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活，适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用