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Vishay 放大招！650V/1200V SiC 二极管，高频应用效率 “大跃进”

judy -- 周四, 02/27/2025 - 10:31

40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC

judy -- 周四, 02/06/2025 - 11:08

这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑，具有IP67密封等级，可在+150 °C的高温下运行

judy -- 周四, 12/19/2024 - 10:20

器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至 ± 15 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %，阻值高达10 MW

judy -- 周三, 12/04/2024 - 16:30

器件占位面积小，采用BWL设计，I_D高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能

judy -- 周四, 11/28/2024 - 14:59

器件通过AEC-Q200认证，额定脉冲循环为100 000次，功率耗散高达35 W

judy -- 周二, 11/26/2024 - 11:11

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间

judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

judy -- 周五, 11/15/2024 - 15:42

新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸，功率密度高，可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级

judy -- 周三, 10/30/2024 - 14:38

自我保护器件R₂₅阻值达1.5 kW，可处理电压高达1200 V_DC，能量吸收能力达340 J，可减少元件数量

judy -- 周四, 10/24/2024 - 09:22

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns