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Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

judy -- 周一, 09/04/2023 - 09:35

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

judy -- 周四, 08/31/2023 - 14:22

器件配置内部设计的新型IC，以引脚兼容方式替换前代解决方案，功耗降低50 %，同时改善性能

judy -- 周一, 08/28/2023 - 15:15

本文介绍基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓扑的同步降压转换器产生负电压, 通过简单修改电路的参考节点

judy -- 周四, 08/17/2023 - 10:09

节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装，内置3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS

judy -- 周三, 08/09/2023 - 11:06

器件采用小型1.85 mm x 1.2 mm x 0.6 mm SMD封装，电流传输比达31 %，感应距离15毫米，且功耗更低

judy -- 周四, 07/06/2023 - 09:51

器件厚度仅为0.88 mm，有效节省空间，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效率

judy -- 周三, 06/28/2023 - 17:21

器件典型光照强度1.3 mWm2，典型反射和接近探测距离分别达到1米和11米，适用于光幕应用

judy -- 周三, 06/21/2023 - 09:55

该款200 V器件厚度仅为0.88 mm，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效率

judy -- 周三, 06/07/2023 - 14:23

器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平

judy -- 周三, 05/31/2023 - 10:22

器件通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达120 W