第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入
judy -- 周一, 11/11/2024 - 15:50
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
SiC是碳化硅（Silicon Carbide）的缩写，是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
SiC
第8讲：SiC外延生长技术
judy -- 周五, 10/25/2024 - 11:27
目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。
利用SiC模块进行电动压缩机设计要点
judy -- 周三, 10/09/2024 - 10:54
上一章，我们探讨了安森美ASPM模块方案在电动压缩机上的应用，本文主要讨论SiC MOSFET 分立方案。
第6讲：SiC单晶生长技术
judy -- 周四, 09/19/2024 - 11:04
目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
judy -- 周三, 09/18/2024 - 17:30
本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。
第5讲：SiC的晶体缺陷
judy -- 周四, 09/05/2024 - 10:50
本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。
如何“榨干”SiC器件潜能？这几种封装技术提供了参考范例
judy -- 周三, 08/28/2024 - 10:36
本文将聚焦于SiC材料的卓越属性，探讨安森美（onsemi）系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。
第4讲：SiC的物理特性
judy -- 周二, 08/27/2024 - 10:32
本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。
从Si到SiC，我们该如何丝滑升级？
judy -- 周五, 08/09/2024 - 10:18
在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色
第3讲：SiC的晶体结构
judy -- 周三, 08/07/2024 - 10:22
本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。