SiC

三菱电机和材料、网络和激光领域的开拓者Coherent近日宣布，双方已签署一份谅解备忘录，将在扩大生产200mm SiC功率器件方面进行合作

在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数

随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈

在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性

随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。

基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前，快速评估针对各种电源开关拓扑结构的解决方案

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

了解清楚SiC器件的命名规则，对快速分辨型号差异有很大的帮助，本文重点介绍一下SiC器件的命名详细规则。

设计工程师越来越多地转向碳化硅（SiC）器件。宽带隙（WBG）技术能够提供更高的效率、开关频率和设计密度，并且具有更佳的总体性能

本文将针对双向OBC/DCDC这个应用，阐述宇宙辐射的影响以及评估系统可靠性的方法。