SiC

摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一

Wolfspeed 功率模块产品线包括 WolfPACK 模块，这些模块提供符合行业标准的无基板式封装，工作电压和电流分别高达 1.2 kV 和 200 A

功率转换器可以使用不同技术的宽带隙半导体，人们常常会比较这些半导体的开关速度和边缘速率。速度越快，支持的运行频率就越高、损耗就越低

本文主要针对驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)本身对SiC MOSFET在使用过程中的影响做出讨论。

碳化硅（SiC）技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。

本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻的额定功率。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

物理法则无法击败。电阻必然消耗电能，并产生热量和压降。电容器要消耗时间存储电荷，再花时间释放电荷。电感器要花时间制造电磁场并让其坍塌。

意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。