SiC

据Yole预测，预计到 2028 年，功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中，消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中，具有明显的负载可调特性，有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变

在功率电子领域，要论如今炙手可热的器件，SiC要说是第二，就没有人敢说第一了

碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构。

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。