SiC

目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。

上一章，我们探讨了安森美ASPM模块方案在电动压缩机上的应用，本文主要讨论SiC MOSFET 分立方案。

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

本文将聚焦于SiC材料的卓越属性，探讨安森美（onsemi）系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。

本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。

在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

本文简要回顾了与经典的硅 (Si) 方案相比，SiC技术是如何提高效率和可靠性并降低成本的。