SiC

为加速实现碳中和，正在实施各种电气化和节能化举措。

英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆的电气样品，并正在考虑进军氢能业务

三菱电机集团近日宣布，将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体

本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%

本文将从SiC器件的角度出发，帮助您设计 UPS 或其他电池储能系统。

新的650V、20A碳化硅整流器模块适用于3kW 至11kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、 EV充电站和板载充电器等应用的需要

如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC

在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要

该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺，持续工作结温达175℃