东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
judy -- 周二, 08/29/2023 - 15:02新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用
SiC是碳化硅(Silicon Carbide)的缩写,是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用
多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中,具有明显的负载可调特性,有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变
在功率电子领域,要论如今炙手可热的器件,SiC要说是第二,就没有人敢说第一了
碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料,特别适用于具有挑战性的应用。然而,大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用
新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构。
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%
在本文中,我们介绍 IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构
根据该合作协议,双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。
该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
三菱电机和材料、网络和激光领域的开拓者Coherent近日宣布,双方已签署一份谅解备忘录,将在扩大生产200mm SiC功率器件方面进行合作