SiC

SiC是碳化硅(Silicon Carbide)的缩写,是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。

SiC优势、应用及加速向脱碳方向发展

如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工业、汽车和可再生能源应用中,基于宽禁带 (WBG) 技术的组件,比如 SiC,对提高能效至关重要

晶能SiC半桥模块试制成功

该模块电气设计优异,寄生电感5nH;采用双面银烧结与铜线键合工艺,配合环氧树脂转模塑封工艺,持续工作结温达175℃

GaN和SiC,最新判断!

据Yole预测,预计到 2028 年,功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中,消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

多元融合高弹性电网初落地,电源和功率器件迎行业风口

多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中,具有明显的负载可调特性,有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变

SiC功率半导体市场,如何才能成为头部玩家?

在功率电子领域,要论如今炙手可热的器件,SiC要说是第二,就没有人敢说第一了

关于碳化硅 (SiC),这些误区要纠正

碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料,特别适用于具有挑战性的应用。然而,大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构。

碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%