优化功率转换器的功率密度:顶部散热封装的作用
judy -- 周三, 03/25/2026 - 14:42
英飞凌的顶部冷却式Q-DPAK封装为基于CoolMOS™和CoolSiC™的功率转换器在功率密度和系统效率优化方面,提供了一种极具吸引力的解决方案

英飞凌的顶部冷却式Q-DPAK封装为基于CoolMOS™和CoolSiC™的功率转换器在功率密度和系统效率优化方面,提供了一种极具吸引力的解决方案

SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压,可以连接高低边功率开关管

株式会社村田制作所已将面向下一代功率半导体之一的GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”商品化。现已开始量产。

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。