功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息
judy -- 周二, 01/21/2025 - 14:51功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
英飞凌(Infineon Technologies)是一家德国半导体制造商,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。英飞凌在全球范围内提供广泛的半导体产品,涵盖了汽车、工业、通信、消费电子和安全等多个领域。它在功率半导体、汽车电子、微控制器、安全芯片等领域具有领先地位。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计,为现有平台提供了无缝升级路径,帮助设计人员快速实现重新设计
结构函数为热设计提供了重要的参考数据。通过分析结构函数,热设计人员可以了解器件在不同条件下的热学性能
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英飞凌全新一代的氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列震撼来袭!采用英飞凌自主研发的高性能200mm晶圆工艺制造,将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V
XMC系列的XMC1302微控制器用于永磁同步电机(PMSM)无传感器磁场定向控制(FOC),整套吊扇方案具有高性能和灵活性的特点
功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
本文通过对一种有延迟环节的burst控制方法的分析,提出一种可用于工程实践的方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计,在这些应用中,小尺寸封装和最少数量的外部组件是必不可少的