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英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度

英飞凌谈八英寸SiC,将要到来

英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米(8 英寸)碳化硅晶圆的电气样品,并正在考虑进军氢能业务

英飞凌推出 EPR 电子标记电缆组件控制器,为USB-C无源电缆提供高达54 V的过压保护

基于EZ-PD CMG2的USB-C EMCA 电缆可支持 USB4 和TBT4 接口的数据传输速率和高达 240 W(48 V/5 A)的充电功率

OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析

随着新能源汽车(xEV)在乘用车渗透率的逐步提升,车载充电机(OBC)作为电网与车载电池之间的单向充电或双向补能的车载电源设备,也得到了非常广泛的应用

英飞凌推出XENSIV胎压传感器,以智能功能满足胎压监测系统的需求

XENSIV™ SP49胎压监测传感器采用性能强大的 32位Arm® M0+内核、大容量闪存和 RAM,并具有低功耗监测(LPM)以及更优化的快速加速度感应功能

英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块

模块的最大电流规格高达 800 A ,扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。

英飞凌推出了第一代ISOFACE™双通道数字隔离器

ISOFACE双通道数字隔离器系列产品采用窄体DSO-8封装,提供两个数据通道,可支持高达40 Mbps的数据传输速率

英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列

该系列半桥驱动器 IC 有四种型号,分别采用两种不同的封装技术:2ED132xS12M 采用 DSO-16 300 mil封装,+2.3 A/-4.6 A 的电流能力

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

碳化硅(SiC)的性能潜力是毋庸置疑的,但设计者必须掌握一个关键的挑战:确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比,芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响,但它们也会影响开关损耗。