英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
judy -- 周五, 07/12/2024 - 14:57英飞凌推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%
英飞凌推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%
英飞凌推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器,通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上,满足汽车电池管理行业的需求
本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。
这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准,并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能
针对不同的电压与电流等级,本文提供了英飞凌针对各种拓扑的参考器件选型方案,为设计高效可靠的MPPT提供便利。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。
这些160V的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案,具有出色的抗闩锁能力,并且专门用于电池供电应用
英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构
未来越来越重要的是:汽车电气系统中的智能配电。通过使用英飞凌的全新元件,智能配电设计变得轻而易举