单相光伏并网系统的拓扑结构简介
judy -- 周一, 06/03/2024 - 16:25
本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。
英飞凌(Infineon Technologies)是一家德国半导体制造商,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。英飞凌在全球范围内提供广泛的半导体产品,涵盖了汽车、工业、通信、消费电子和安全等多个领域。它在功率半导体、汽车电子、微控制器、安全芯片等领域具有领先地位。
本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。
这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准,并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能
针对不同的电压与电流等级,本文提供了英飞凌针对各种拓扑的参考器件选型方案,为设计高效可靠的MPPT提供便利。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。
这些160V的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案,具有出色的抗闩锁能力,并且专门用于电池供电应用
英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构
未来越来越重要的是:汽车电气系统中的智能配电。通过使用英飞凌的全新元件,智能配电设计变得轻而易举
TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度
英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米(8 英寸)碳化硅晶圆的电气样品,并正在考虑进军氢能业务