英飞凌谈八英寸SiC,将要到来
judy -- 周一, 11/20/2023 - 10:53![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2023-11/wen_zhang_/100576138-325359-3005938999om1.jpg?itok=91PGy2tJ)
英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米(8 英寸)碳化硅晶圆的电气样品,并正在考虑进军氢能业务
英飞凌(Infineon Technologies)是一家德国半导体制造商,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。英飞凌在全球范围内提供广泛的半导体产品,涵盖了汽车、工业、通信、消费电子和安全等多个领域。它在功率半导体、汽车电子、微控制器、安全芯片等领域具有领先地位。
英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米(8 英寸)碳化硅晶圆的电气样品,并正在考虑进军氢能业务
基于EZ-PD CMG2的USB-C EMCA 电缆可支持 USB4 和TBT4 接口的数据传输速率和高达 240 W(48 V/5 A)的充电功率
随着新能源汽车(xEV)在乘用车渗透率的逐步提升,车载充电机(OBC)作为电网与车载电池之间的单向充电或双向补能的车载电源设备,也得到了非常广泛的应用
XENSIV™ SP49胎压监测传感器采用性能强大的 32位Arm® M0+内核、大容量闪存和 RAM,并具有低功耗监测(LPM)以及更优化的快速加速度感应功能
模块的最大电流规格高达 800 A ,扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。
ISOFACE双通道数字隔离器系列产品采用窄体DSO-8封装,提供两个数据通道,可支持高达40 Mbps的数据传输速率
该系列半桥驱动器 IC 有四种型号,分别采用两种不同的封装技术:2ED132xS12M 采用 DSO-16 300 mil封装,+2.3 A/-4.6 A 的电流能力
碳化硅(SiC)的性能潜力是毋庸置疑的,但设计者必须掌握一个关键的挑战:确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。
1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比,芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响,但它们也会影响开关损耗。
在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiC MOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。