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上篇文章已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。

GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应

文章基于SPICE和PLECS的SiC MOSFET器件建模，进行了详细的优化和改进，并取得了很好的效果，尤其是PLECS模型优化中的在线热阻更新功能等

该系列采用紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装，占板面积与现有光隔离器方案相当，帮助设计人员在空间受限的方案中无缝升级至SSI技术

GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应

英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。

英飞凌1300 V HybridPACK™ Drive碳化硅模块的工作温度可达205°C

全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。

本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。