AI数据中心

正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料

面向AI数据中心高压中间母线转换器应用的横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET的对比

Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案

新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。

本白皮书不仅介绍了罗姆引以为傲的丰富的功率元器件和模拟IC技术，还介绍了热设计等各种仿真、电路板设计以及实际应用案例等综合电源解决方案。

192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。

该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势。

该方案以单颗N32H474作为数字主控核心，基于自研Hunter OS实时操作系统开发生态链打造，整机峰值效率≥97.7%，达到业内领先水平。