AI数据中心

业界首款在80 VDC条件下额定分断电流为14 kA，采用紧凑型表面贴装封装

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构，实现了业界领先的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。

本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。

人工智能模型训练对算力需求的增长导致AI数据中心带宽需求的急剧增加。通过传统铜互连来增加总带宽已经面临严峻挑战，功耗、传输距离以及带宽密度的矛盾日益突出

正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料

面向AI数据中心高压中间母线转换器应用的横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET的对比

Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案

新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。

本白皮书不仅介绍了罗姆引以为傲的丰富的功率元器件和模拟IC技术，还介绍了热设计等各种仿真、电路板设计以及实际应用案例等综合电源解决方案。

192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。