英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM），宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。这一创新解决方案有望重新定义下一代 AI 数据中心和边缘计算的电源单元 (PSU)，通过结合双方的优势，实现前所未有的效率和功率密度，并加速设计周期。
这款新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。这种独特组合可实现卓越的开关性能和精简的系统设计，助力工程师达成钛金级电源效率和超过 100 W/in³ 的功率密度，极大地简化了系统设计，并显著减少了无源元件的数量。
英诺赛科产品应用副总裁Larry Chen表示：“英诺赛科正在推动 GaN在数据中心应用中的效率和性能基准。通过将我们领先的 GaN 功率器件与 Allegro 的先进驱动器技术相结合，我们提供了一个全面的电源解决方案，帮助工程师优化尺寸、提升设计效率和功率密度，并加速下一代 AI 解决方案的上市时间。”
专为功率密度与效率打造的参考设计
这款由英诺赛科开发的 4.2kW参考设计集中展示了英诺赛科最新的氮化镓场效应晶体管（FET）与Allegro的AHV85110栅极驱动器的协同应用。该设计采用全氮化镓架构，可实现紧凑高效的功率转换，适用于AI负载场景和超大规模部署需求。
Allegro AHV85110栅极驱动器通过集成偏置电源提升了开关性能。其共模电容仅为2.2pF，比传统解决方案低5至10倍，从而显著降低了电磁干扰（EMI）。同时，该驱动器通过集成偏置电源，简化了氮化镓栅极驱动的实现方式，使驱动电路设计中的无源元件数量大幅减少80%，系统级元件总数降低15%，解决了高频电源系统设计中的一大关键难题。同时，该驱动器的超薄封装设计便于与顶部散热或双面散热的功率封装无缝配合，从而实现更优异的系统级热设计性能。
在对尺寸、速度和效率有极高要求的电源系统中，氮化镓 (GaN) 正迅速成为首选方案。随着数据中心不断扩容以支持AI与边缘计算，设计人员需要能够减少能耗、节省空间并满足严苛可持续发展目标的解决方案。 这款参考设计为电源设计人员提供了以下支持：
文章来源：英诺赛科