MOSFET

新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。

在低侧驱动配置中，N 沟道 MOSFET 置于负载与地之间（负载在上，MOSFET 在下）。栅极直接由微控制器（MCU）或驱动器的输出电压控制。

得益于近几年国内外SiC MOSFET的高速发展，用固态断路器（SSCB）来取代传统机械式断路器正越来越成为一种趋势，其核心就是用SiC MOSFET来取代传统的机械开关

在今天的功率电子系统中，MOSFET 承载的电流和功率越来越大，而产品的尺寸却越来越紧凑，这就使得功率密度成为功率 MOSFET 选型时一个需要重点考量的指标。

新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围。

这篇聊一下MOSFET的第二重防护，有源钳位（Active clamp），下图并联在GD之间的TVS2起到的就是这个作用，如果是IGBT的话就是GC之间并联一颗TVS2。

MOSFET的Drain（漏极）、Source（源极）、G（栅极）三个引脚，其两两之间都可以用TVS来做过压保护。

SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（V_GS = 10V），最大值不超过 18mΩ（V_GS = 10V），能有效降低导通损耗

本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。

新器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。