使用集成MOSFET限制电流的简单方法
judy -- 周五, 02/28/2025 - 10:24
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。
MOSFET
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
judy -- 周三, 02/19/2025 - 11:01
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。
新一代MOSFET解决方案以小搏大，破解应用难题
judy -- 周一, 02/17/2025 - 15:27
东芝TPH9R00CQ5 MOSFET具备仅为9.0 mΩ（最大值）的行业领先的低漏源导通电阻，相较于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其导通电阻降低了约42%
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台
judy -- 周三, 02/12/2025 - 11:16
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
judy -- 周四, 01/16/2025 - 11:03
意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
judy -- 周四, 12/12/2024 - 11:27
提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
judy -- 周三, 12/04/2024 - 16:30
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
judy -- 周二, 11/26/2024 - 11:04
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性
judy -- 周五, 11/15/2024 - 10:09
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。