圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430
judy -- 周四, 05/08/2025 - 10:13
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗
MOSFET
基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
judy -- 周三, 05/07/2025 - 10:19
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富
导通电阻降 48.2%，Vishay Gen 4.5 650V MOSFET 开启高效电源新时代
judy -- 周三, 04/16/2025 - 11:15
超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率
使用集成MOSFET限制电流的简单方法
judy -- 周五, 02/28/2025 - 10:24
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
judy -- 周三, 02/19/2025 - 11:01
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。
新一代MOSFET解决方案以小搏大，破解应用难题
judy -- 周一, 02/17/2025 - 15:27
东芝TPH9R00CQ5 MOSFET具备仅为9.0 mΩ（最大值）的行业领先的低漏源导通电阻，相较于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其导通电阻降低了约42%
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台
judy -- 周三, 02/12/2025 - 11:16
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
judy -- 周四, 01/16/2025 - 11:03
意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
judy -- 周四, 12/12/2024 - 11:27
提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
judy -- 周三, 12/04/2024 - 16:30
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能