东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
judy -- 周四, 05/18/2023 - 14:35
东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路
MOSFET
ROHM推出超低导通电阻的Nch MOSFET
judy -- 周五, 04/21/2023 - 17:27
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
judy -- 周四, 04/13/2023 - 09:51
这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率
MOSFET与IGBT的区别
judy -- 周四, 04/06/2023 - 14:49
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。
东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET
judy -- 周四, 03/30/2023 - 14:21
TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究
judy -- 周四, 03/23/2023 - 14:30
相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET
judy -- 周三, 03/22/2023 - 16:02
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET
judy -- 周一, 01/30/2023 - 10:41
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
judy -- 周五, 01/13/2023 - 10:44
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大
ROHM推出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
judy -- 周三, 12/14/2022 - 15:59
新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3，在实现小型化的同时还降低了功耗