MOSFET

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装,提高系统功率密度,改进热性能

AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET

全新高压aMOS5™进一步升级,可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求

基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

新型MOSFET栅极驱动IC助力移动电子设备小型化

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件,可阻止电流反向流入负载开关

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护

东芝电子推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护

Littelfuse推出首款汽车级PolarP™ P通道增强模式功率MOSFET

首款汽车级PolarP™ P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA能满足汽车应用的严苛要求,提供卓越的性能和可靠性。

Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

适用于PD3.1标准的芯导科技MOSFET产品

芯导科技的PSM8N065R3,具有65V耐压,2.5Ω的导通电阻,优异的FOM值,并且特别优化了适配同步整流控制器的门极驱动能力和开关EMI特性

Diodes推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品,可提升车用子系统效率

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作,其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V,且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格