Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
judy -- 周三, 12/04/2024 - 16:30
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能
MOSFET
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
judy -- 周二, 11/26/2024 - 11:04
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性
judy -- 周五, 11/15/2024 - 10:09
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。
Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压
judy -- 周四, 10/24/2024 - 09:22
器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
judy -- 周三, 08/07/2024 - 09:44
新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用
如何利用低电平有效输出驱动高端输入开关？
judy -- 周二, 06/11/2024 - 10:44
本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关，从而执行系统电源循环。
运用双MOSFET避免SEU的影响
judy -- 周一, 06/03/2024 - 16:18
以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启，其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET
judy -- 周二, 05/07/2024 - 10:15
第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效
耐辐射性已成为新太空卫星设计的新难题
judy -- 周五, 04/26/2024 - 15:14
本文将讨论在耐辐射电源系统中采用软开关的基本策略及多种优势。