MOSFET

OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。

该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。

在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。

650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注

MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法

东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输入电压），同时具备过压锁定功能。

数字开关通常使用MOSFET来创建，但是对于低饱和电压的开关模型，双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用，它们不仅可以提供出色的电流放大效果，还具有成本优势。