艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET
judy -- 周二, 04/23/2024 - 14:54
AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件,可适用于33W至100W手机充电功率的应用
AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件,可适用于33W至100W手机充电功率的应用
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。本文将分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。
SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间
本文介绍了一个特定的雪崩功率函数,它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础
在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。
三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品
此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%
新产品采用高速二极管,旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性