MOSFET

圣邦微电子推出最小脉冲宽度 1ns 的车规级低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 SGM48521Q

SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

本文介绍了一个特定的雪崩功率函数,它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础

贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般

在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品

Nexperia 在 APEC 2024 上发布拓宽分立式 FET 解决方案系列

此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%

东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET,助力提高电源效率

新产品采用高速二极管,旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装,提高系统功率密度,改进热性能

AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET

全新高压aMOS5™进一步升级,可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求

基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

新型MOSFET栅极驱动IC助力移动电子设备小型化

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件,可阻止电流反向流入负载开关