SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作 judy / 周五, 11 二月 2022 - 14:41 MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外,所使用的电路方式也多种多样,除单独使用外,还有串联连接、并联连接等多种使用方法 阅读更多 关于 SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作登录或注册以发表评论
东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸 judy / 周三, 9 二月 2022 - 10:27 东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压(基于输入电压),同时具备过压锁定功能。 阅读更多 关于 东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸登录或注册以发表评论
双极结型晶体管——MOSFET的挑战者 judy / 周五, 7 一月 2022 - 11:51 数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势。 阅读更多 关于 双极结型晶体管——MOSFET的挑战者登录或注册以发表评论
使用集成MOSFET限制电流的简单方法 judy / 周二, 29 九月 2026 - 10:12 电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中,必须防止电流过大,以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中,必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。 阅读更多 关于 使用集成MOSFET限制电流的简单方法登录或注册以发表评论
低成本集成小电机控制方案 | MOTIX™ TLE995x与第7代MOSFET适配指南 judy / 周一, 28 九月 2026 - 15:13 英飞凌推出的全新低成本TLE995x,其bridge driver集成了英飞凌最新的预驱技术,那么如何让bridge driver和 MOSFET更加完美的搭配,本文将带我们一探究竟。 阅读更多 关于 低成本集成小电机控制方案 | MOTIX™ TLE995x与第7代MOSFET适配指南登录或注册以发表评论
P沟道MOSFET如何选?一颗料,给你讲清楚! judy / 周三, 16 九月 2026 - 10:22 本文将以在设计时“相对少见”的P沟道MOSFET为例,与大家一同探索,摸清MOSFET选型中的门道儿。 阅读更多 关于 P沟道MOSFET如何选?一颗料,给你讲清楚!登录或注册以发表评论
软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法 judy / 周一, 14 九月 2026 - 17:10 在ZVS软开关设计中,MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中,一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss。本文介绍两种工程上常用且计算精度较高的方法 阅读更多 关于 软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法登录或注册以发表评论
ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET judy / 周四, 23 七月 2026 - 15:25 通过可抑制二次击穿的设计,与同等尺寸的普通产品相比,实现了约5倍的SOA范围(条件:VDS=100V、PW=100μs) 阅读更多 关于 ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET登录或注册以发表评论
碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET judy / 周二, 16 六月 2026 - 16:24 本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。 阅读更多 关于 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET登录或注册以发表评论
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品 judy / 周二, 16 六月 2026 - 14:42 新产品不仅更小、更薄,还具备优异的散热性能,非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用 阅读更多 关于 ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品登录或注册以发表评论