SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作 judy / 周五, 11 二月 2022 - 14:41 MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外,所使用的电路方式也多种多样,除单独使用外,还有串联连接、并联连接等多种使用方法 阅读更多 关于 SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作登录 发表评论
东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸 judy / 周三, 9 二月 2022 - 10:27 东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压(基于输入电压),同时具备过压锁定功能。 阅读更多 关于 东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸登录 发表评论
双极结型晶体管——MOSFET的挑战者 judy / 周五, 7 一月 2022 - 11:51 数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势。 阅读更多 关于 双极结型晶体管——MOSFET的挑战者登录 发表评论
ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET judy / 周四, 23 七月 2026 - 15:25 通过可抑制二次击穿的设计,与同等尺寸的普通产品相比,实现了约5倍的SOA范围(条件:VDS=100V、PW=100μs) 阅读更多 关于 ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET登录 发表评论
碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET judy / 周二, 16 六月 2026 - 16:24 本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。 阅读更多 关于 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET登录 发表评论
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品 judy / 周二, 16 六月 2026 - 14:42 新产品不仅更小、更薄,还具备优异的散热性能,非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用 阅读更多 关于 ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品登录 发表评论
AI推动数据中心对功率MOSFET的需求 judy / 周五, 15 五月 2026 - 10:53 本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级,以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。 Tags AI数据中心 MOSFET 英飞凌 阅读更多 关于 AI推动数据中心对功率MOSFET的需求登录 发表评论